产品概述
Systek™ BAF Ni是一种易于控制的镍阻挡层电镀工艺，可形成纯净、延展性佳、晶粒细小、应力低的镍沉积层，具有卓越的共面性，满足下一代半导体封装的要求。作为面板级封装（PLP）产品组合的一部分，其化学系统不含硼酸，符合相关法规要求。
Systek BAF Ni能够满足先进封装架构对性能和制造的严苛要求，是一种有效的阻挡金属，能够限制焊料转化为金属间化合物（IMC），避免界面处形成空洞；同时，凭借卓越的过孔填充能力，该产品可在较低的操作温度下形成光滑表面，从而降低拥有成本。
产品特性
可持续性与监管合规性
不含硼酸，符合“高度关注物质”（SVHC）及《化学品注册、评估、授权和限制法规》（REACH）的规定，助力制造商实现其环境目标。
与高纯度半导体环境相兼容
满足晶圆电镀应用对性能及制造工艺的相关要求。
可调节的工艺控制，实现应力可预测的均匀镀层。
通过温度控制和BAF Ni-A浓度调节，可控制镀层应力。
凸块和铜柱电镀
Systek BAF Ni具有光滑的沉积表面和均匀的凸块形状，可与传统的镍电镀工艺相媲美。
面向高性能封装的一流无硼酸阻挡技术
Systek BAF Ni提供有效的扩散阻挡层，可限制焊料转化为金属间化合物，该阻挡层可有效防止界面空洞形成，从而提高先进封装的可靠性。
阻挡电镀
Systek BAF Ni可在复杂结构表面上提供一致的阻挡镀层，通过严格的工艺控制，能够满足高性能半导体应用的需求。
