微机电系统 (MEMS)
先进且具成本效益的微机电系统制造解决方案，可实现高电镀速率和良好的台阶覆盖性。
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在半导体制造中的高性价比金蚀刻解决方案，可在 TiW 阻挡层上选择性去除金种子层。
使用 MICROFAB® AU100 CT DEPLATE 优化金蚀刻工艺
借助我们先进的金蚀刻剂解决方案 MICROFAB AU100 CT DEPLATE，优化半导体制造工艺。这种无氰蚀刻液能够在 TiW 和 Ti 阻挡层上实现精确且均匀的金种子层蚀刻，尽量提高成本效益。
为什么选择麦德美爱法？
可持续性
无氰镀金解决方案，在保持化合物半导体应用性能的同时，助您实现环境、健康与安全（EH&S）目标。
可靠性
通过我们的化合物半导体解决方案组合，可获得良好的耐腐蚀性、高热稳定性并提高粘合力。
集成解决方案
我们提供全面的预镀、闪镀和电镀解决方案，确保为您的化合物半导体应用带来良好效果。
常见问题
半导体制造中金蚀刻是如何进行的？
半导体制造中的金蚀刻是在完成电沉积工艺后，使用蚀刻液从基底上去除金种子层。该工艺可确保精确且均匀地去除种子层，并对电镀特征结构实现可控的侧蚀。我们的金蚀刻剂与TiW或Ti等种子层材料兼容，也与自动化工具中常见的终点检测方法兼容。
无氰金蚀刻为何重要？
与含氰的解决方案相比，无氰金蚀刻更安全、更环保。此外，MICROFAB AU100 CT DEPLATE 等无氰金蚀刻剂在金蚀刻过程中能提供更好的控制性和均匀性，这对半导体应用至关重要。
半导体制造中金种子层蚀刻的目的是什么？
金种子层蚀刻是半导体制造中的关键工艺，用于移除作为后续电镀工艺基底的初始金层。在种子层上形成电镀特征结构后，必须去除或蚀刻掉种子层，使形成的特征结构具备电气和机械功能。
金蚀刻解决方案可用于细线电镀和凸块电镀吗？
可以，电解金蚀刻解决方案非常适合半导体应用中细线电镀和凸块电镀。MICROFAB AU100 CT DEPLATE 等电解蚀刻液依靠对电荷的控制，可精确且干净地去除金层，而浸泡式蚀刻液的蚀刻速率变化较大。
金蚀刻剂解决方案如何影响半导体生产成本？
MICROFAB AU100 CT DEPLATE 等金蚀刻剂解决方案可高效有选择性地去除金种子层，从而降低运营成本。被蚀刻下来的金可以再沉积到阴极上，以回收昂贵的金成分；而浸泡式蚀刻液则需要经过化学处理才能回收金成分。