硅通孔(TSV)

采用我们的镀铜工艺高效填充 TSV,为复杂、高密度封装提供可靠的自下而上电镀。

适用于高密度封装的硅通孔(TSV)解决方案

借助 MICROFAB® DVF-200 实现无缺陷的TSV填充,该工艺专为不同深宽比和高速电镀而开发。非常适合不断发展的 CMOS图像传感器、晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)和堆叠式存储器,满足复杂、高性能封装的需求。

TSV

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低阿尔法放射材料

使用我们高品质、以可持续方式获取的低阿尔法与锡材料,可支持提升新一代器件的可靠性表现。

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再布线层(RDL)

借助我们的再布线层解决方案,解锁出色的再布线层性能,实现高效的输入/输出(I/O)间距重新分布和先进的电镀精度。

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大马士革工艺

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通过采用适用于晶圆凸块工艺的金属化解决方案,可支持新型半导体封装在可靠性和性能方面的需求。

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混合键合

通过我们的混合键合解决方案,可支持在互连应用中实现对间距缩小、能效表现及可靠性需求的提升。

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集成解决方案
凭借在行业中的深厚经验,我们提供创新、高性能的先进互连金属化解决方案,助力客户取得优异成果。

可持续性
我们的专业经验和创新型互连金属化解决方案旨在帮助客户实现其环境、健康和安全目标。

可靠性
我们的解决方案着重于品质与性能表现,助力客户在复杂封装中实现出色的良率。

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常见问题

半导体封装中的硅通孔(TSV)是什么?

硅通孔(TSV)是穿过硅晶圆的垂直互连结构,可实现3D堆叠和2.5D集成,提高电气性能,缩短互连长度,并支持半导体器件实现更高的集成度。

MICROFAB DVF-200 可用于哪些领域?

MICROFAB DVF-200 可通过高速镀铜实现快速、无缺陷的 TSV 填充,支持高达 10:1 的深宽比。能够实现均匀、无空洞的填充,满足 3D 和 2.5D 封装应用的严格要求。

MICROFAB DVF-200 如何解决硅通孔填充中的难题?

硅通孔填充面临的难题包括实现无空洞填充、确保铜沉积均匀以及在不产生缺陷的情况下处理高深宽比。像 MICROFAB DVF-200 这样的先进工艺提供了高速电镀和出色可靠性的解决方案。

在选择 TSV 填充材料时需要考虑哪些关键因素?

在选择 TSV 填充材料时,与提供强大技术支持的供应商合作至关重要。我们凭借深厚的专长脱颖而出,帮助客户优化TSV填充工艺并高效克服难题,确保顺利集成到他们的生产工作流程中。

MICROFAB DVF-200 是否可以轻松集成到现有工艺中?

MICROFAB DVF-200 系统可轻松集成到现有工艺中,因为每个系统都是含有三种添加剂的解决方案,可进行优化以满足特定应用要求。这种灵活性可实现性能定制,同时保持强大的操作窗口,确保在各种生产环境中无缝集成并获得均匀一致的结果。

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