化合物半导体制造

业界认可的贵金属电镀技术,旨在实现高可靠性、良好性能和成本效益,同时助力缩短上市时间。

先进的贵金属电镀

采用我们的贵金属电镀解决方案提升半导体性能,以较低的总拥有成本实现更快的产品上市节奏。 

我们的金和钯体系具备出色的细线加工能力、良好的台阶覆盖性以及稳定的电气和机械特性。 

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提升可靠性与性能

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实现细间距电镀精度

我们的金电镀解决方案在细线特征结构、凸块电镀、过孔台阶覆盖和背面互连解决方案方面表现优异。

通过金退镀解决方案优化拥有成本

我们的无氰退镀化学药水与金电镀工艺相辅相成,能提供稳定的金蚀刻效果,同时有助于减少对关键特征结构的侧蚀影响。 

确保可靠、耐用的镀钯

我们的镀钯解决方案具备出色的耐腐蚀性、高热稳定性以及在微机电系统(MEMS)制造中备受重视的稳定材料特性。

改善粘合力提升半导体可靠性

我们的金和钯闪镀解决方案通过改善粘合力和减少后续金属层工艺步骤的污染,来提升可靠性。

借助钯预镀提升可靠性

纯钯预镀层可用于钝化表面(如镍),在后续进行焊接或芯片贴装处理时,有助于提升表面的可靠性和粘合力。

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微机电系统 (MEMS)

先进且具成本效益的微机电系统制造解决方案,可实现高电镀速率和良好的台阶覆盖性。

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扇出型晶圆级封装(FOWLP) 焊料表面

利用我们的金与钯薄膜相关方案,为扇出型晶圆级封装(FOWLP)的设计提供支持。

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显示驱动接口 (DDI)

使用我们高硬度金工艺方案,可支持显示驱动应用在键合性、可靠性和热稳定性方面的需求。

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晶圆级封装的再布线层

通过高纯度镀层、种子层填充以及可调表面粗糙度的工艺方案,可支持先进半导体应用在可焊性和导电性方面的需求。

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背面金属化

我们的解决方案可与芯片贴装材料无缝集成,优化功率/射频器件的过孔台阶覆盖能力、良率和可靠性。

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金蚀刻材料

使用适用于半导体制造的金蚀刻工艺方案,可在 TiW 阻挡层上实现对金种子层的稳定、均匀去除。

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为什么选择麦德美爱法?

集成解决方案
我们提供全面的预镀、闪镀和电镀解决方案,确保为您的化合物半导体应用带来良好效果。

可持续性
我们提供无氰镀金解决方案,帮助客户实现其环境、健康与安全(EH&S)目标,并在化合物半导体应用中保持良好的工艺表现。

可靠性
通过我们的化合物半导体解决方案组合,可获得良好的耐腐蚀性、高热稳定性并提高粘合力。

Wafer With Scientist

常见问题

什么是化合物半导体制造?

化合物半导体制造是指利用含有多种化学元素的基板来制造半导体产品的过程。(例如砷化镓、碳化硅等)化合物半导体在射频、功率集成电路、光电子学和LED等应用中尤为有用。

化合物半导体制造面临哪些挑战?

挑战包括细间距绘制图案、过孔内的台阶覆盖、热管理以及实现可靠的互连表面。采用金、钯和银等材料的先进电镀技术可以提升每个芯片的性能和耐用性。

镀金如何改善化合物半导体制造?

电镀金特征结构历来广泛应用于化合物半导体器件中,因为该材料与基板兼容,且具有低应力和热行为等有利材料特性。我们的镀金解决方案能够实现精细的线形特征结构、出色的过孔台阶覆盖能力,以及有利于背面互连和芯片贴装的表面特性。

在化合物半导体和MEMS制造中使用钯有哪些好处?

镀钯在镍等金属上方实现优异的层间粘合力,可提升化合物半导体制造水平。当金用作表层时,钯还能实现高可靠性的可焊性表面处理。钯和钯合金可为微机电系统(MEMS)器件提供独特且有利的机械和电气特性。 

无氰退镀技术如何降低化合物半导体制造的成本?

无氰退镀技术通过消除氰化物、碘化钾(KI)或强酸等危险材料,降低化合物半导体制造的运营成本。电解退镀处理能够在兼顾工艺表现的同时,提供更安全、更具成本效益的解决方案。

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