低阿尔法放射材料
使用我们高品质、以可持续方式获取的低阿尔法与锡材料,可支持提升新一代器件的可靠性表现。
了解更多混合键合解决方案在先进互连应用中优化缩小间距、提升电源效率和可靠性。
我们的混合键合解决方案,包括 NOVAFAB® NANOTWIN Cu,可实现优异的机械性能和电导性能,提升芯片到芯片(D2D)、芯片到晶圆(D2W)和再布线层(RDL)的性能。具有抗电迁移性和优异的键合性能,非常适合小间距尺寸。
集成解决方案
凭借在行业中的深厚经验,我们提供创新、高性能的先进互连金属化解决方案,助力客户取得优异成果。
可靠性
我们的解决方案着重于品质与性能表现,助力客户在复杂封装中实现出色的良率。
可持续性
我们的专业经验和创新型互连金属化解决方案旨在帮助客户实现其环境、健康和安全目标。
混合键合是先进封装中用于连接半导体组件的一种工艺。涉及铜对铜(Cu-to-Cu)的直接键合,无需焊料。该工艺提高了机械强度、散热能力和电导性能,同时克服了小间距尺寸下互连相关的扩展问题。
NOVAFAB NANOTWIN Cu 为混合键合提供了出色的机械性能和电导性能。提高了抗电迁移性,非常适合小间距尺寸。该解决方案提升了D2D、D2W和RDL工艺的性能,提供更高的可靠性和更好的热管理。
我们的混合键合解决方案经过精心设计,利用晶粒工程薄膜解决混合键合的难题。
我们的 NOVAFAB NANOTWIN Cu 体系晶面取向经优化创建了高度比例的<111>晶粒结构,可实现出色的键合效果。
我们的 NOVAFAB NANOTWIN Cu 可无缝集成到现有工艺中,作为即用型系统,复杂性低。该系统只需一种添加剂即可轻松控制和维护镀液,确保在既定工作流程中实现简单实施和稳定性能。