NOVAFAB® 细晶粒铜

斩获殊荣的先进电镀工艺,生产用于混合键合应用的纯铜膜。

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产品概述

利用斩获殊荣的 NOVAFAB 细晶粒铜电镀工艺,形成一种独特的薄膜,用于满足先进半导体封装的机械和电导要求。该工艺为各种晶圆级封装应用而开发,在混合键合方面表现出色。

该技术在整个封装加工过程中保持稳定的晶粒结构,并在后处理温度下表现出受控的晶粒生长,确保界面处实现出色的键合效果。该体系可为芯片到芯片(D2D)、芯片到晶圆(D2W)和晶圆到晶圆(W2W)键合提供高质量和高可靠性的互连。

产品特性

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提升器件性能和可靠性

NOVAFAB 细晶粒铜可生成高密度的纯镀层,减少信号衰减,提高整体器件性能和可靠性。

稳定晶粒结构实现无缺陷键合

晶粒尺寸在加工过程中保持稳定,并在退火过程中实现受控的晶粒生长,确保形成无缺陷键合,显着提高质量和可靠性。

适应小特征结构的铜镀层

铜镀层的晶粒尺寸<0.2μm,可适应小特征结构,非常适合需要高密度互连且对机械性能和电导性能要求较高的应用场景。

特色应用

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混合键合

NOVAFAB 细晶粒铜在混合键合方面表现出色。该技术在整个生产过程中保持稳定的晶粒结构,并在后处理温度下呈现受控的晶粒生长。

芯片到芯片(D2D)、芯片到晶圆(D2W)和晶圆到晶圆(W2W)键合

该体系可为芯片到芯片(D2D)、芯片到晶圆(D2W)和晶圆到晶圆(W2W)键合提供高质量和高可靠性的互连。

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