微机电系统 (MEMS)
先进且具成本效益的微机电系统制造解决方案，可实现高电镀速率和良好的台阶覆盖性。
了解更多背面金属化
我们的解决方案可与芯片贴装材料无缝集成，优化功率/射频器件的过孔台阶覆盖能力、良率和可靠性。
在先进功率和射频应用中提高可靠性
我们为功率集成电路和射频器件背面金属化提供的一系列解决方案，可增强减薄晶圆的导热性和机械强度。对于含填孔的器件，其良好的台阶覆盖特性有助于尽量降低每个器件中贵金属含量的成本。
为什么选择麦德美爱法？
集成解决方案
我们提供全面的预镀、闪镀和电镀解决方案，确保为化合物半导体应用带来良好效果。
可持续性
我们的产品有助于减少每个芯片或晶圆的材料用量。
可靠性
我们提供的赋能材料具有稳定、高质量的特性。
常见问题
半导体制造中的背面金属化是什么？
背面金属化是将金属层运用在半导体晶圆背面的工艺。这些金属层可改善热管理、机械强度和电气性能。这些特性对于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）应用中的高功率、高频器件至关重要。
背面金属化为何对 GaN 和 GaAs 器件很重要？
SiC、GaN 和 GaAs 器件基板成本高昂，并且为了满足器件性能要求，需要高导热性和机械稳定性。背面金属化在实现这些特性的同时，也增强了可靠性。改善每个芯片的散热和互连效率对于高功率集成电路和射频应用至关重要。
背面金属化如何提高导热性？
背面金属化主要用于促进热量从芯片高效转移到散热基板上。这对于在运行过程中会产生大量热量的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）应用至关重要。合适的背面金属堆叠可提高器件性能和寿命。
背面金属化使用哪些金属？
背面金属化常见的电镀材料包括金、银和钯，我们的解决方案中就包含 MICROFAB® AU660、NOVAFAB® AG - 340和NOVAFAB® PD ACID STRIKE。化学沉镍浸金（ENIG）或化学镀镍化学镀钯浸金（ENEPIG）等化学电镀工艺也常用于背面金属化。这些不同的金属堆叠组合可根据要求定制，提供高导热性、出色的台阶覆盖能力，并与烧结芯片贴装材料集成。
背面金属化如何影响半导体生产中的良率？
化合物半导体器件具有精确设计的外延层，其温度限制非常严格。背面金属化通过改善散热性能（这是降低器件工作温度所必需的）来提高器件良率。高品质的金属化可降低昂贵碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）半导体器件的故障率。