IC载板表面处理
我们的高性能最终表面处理可提升可焊性和打金线键合性能,以满足OEM标准。
用于提升先进封装的均匀性、共面性、可靠性和精度的一系列先进解决方案。
凭借高速铜柱电镀、无硼酸阻挡电镀技术以及同步过孔填充与再分布层(RDL)金属化,我们的面板级封装(PLP)产品组合为下一代2.5D和3D设计提供卓越的精度和可靠性。
集成解决方案
从铜柱电镀到蚀刻工艺,我们全面的产品组合可支持当今各类先进封装应用的制造。
可持续性
我们的创新技术减少了有害物质的使用,降低了水电消耗,助力客户实现可持续发展目标。
可靠性
我们为面板级封装应用提供专用工艺,以增强先进架构的可靠性并确保长期性能。
随着人工智能(AI)应用领域对高性能计算的需求不断增长,对更高带宽、更高能效和更高I/O密度的需求也相应增加。传统封装方法已接近其极限,而面板级封装(PLP)可在规模化生产、良率及成本管理等方面提供支持,满足新型电子设备的发展需求。
人工智能的兴起对芯片处理能力和I/O密度提出了更高的要求。我们的面板级封装化学品可实现可靠的铜柱、阻挡层和RDL金属化,具备出色的均匀性、共面性和高产能,满足先进架构的要求。
Systek SCP 100通过提供具有卓越的平整度、共面性和精度的高速铜柱电镀(最高可达2.5 μm/min),有效解决了均匀性问题。
Systek BAF Ni是一种无硼酸电镀工艺,能够形成纯净、延展性佳且应力低的镍沉积层,同时具备卓越的共面性。该工艺不仅符合环境健康与安全(EH&S)标准,还能够提升产品的可靠性。其坚固的阻挡层能够有效防止金属间化合物(IMC)的形成以及空洞的产生,从而形成更坚固的焊点。
Systek VTP 100专为扇出和3D集成而设计,即使在高密度布局下,也能以高达7.5 ASD的电镀速度,实现自下而上的过孔填充和均匀的线路轮廓,并实现稳定一致的I/O重新分布,适用于更高密度、更紧凑的封装设计。
Systek HCP 100可实现高达8 μm/min的极快电镀速率,同时保持出色的共面性和较低的柯肯达尔空洞(KV)形成倾向。卓越的芯片内(WID)和特征内(WIF)均匀性确保了在先进互连应用中的出色机械性能和高良率。