大马士革工艺

助力大马士革和双大马士革工艺,确保自下而上的铜电镀,实现无空洞的金属化。

面向先进制造节点的双大马士革解决方案

我们的 ViaForm® 产品满足先进节点制造的精确需求,为复杂互连提供高性能、无空洞的填充,确保前沿半导体应用场景所需的可靠性和可扩展性。

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低阿尔法放射材料

使用我们高品质、以可持续方式获取的低阿尔法与锡材料,可支持提升新一代器件的可靠性表现。

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再布线层(RDL)

借助我们的再布线层解决方案,解锁出色的再布线层性能,实现高效的输入/输出(I/O)间距重新分布和先进的电镀精度。

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晶圆凸块技术

通过采用适用于晶圆凸块工艺的金属化解决方案,可支持新型半导体封装在可靠性和性能方面的需求。

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混合键合

通过我们的混合键合解决方案,可支持在互连应用中实现对间距缩小、能效表现及可靠性需求的提升。

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硅通孔(TSV)

采用我们的镀铜工艺高效填充 TSV,为复杂、高密度封装提供可靠的自下而上电镀。

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可靠性
我们的大马士革产品实现无空洞填充,确保复杂互连的高可靠性和改善的性能。

集成解决方案
凭借在行业中的深厚经验,我们提供创新、高性能的先进互连金属化解决方案,助力客户取得优异成果。

可持续性
我们的专业经验和创新型互连金属化解决方案旨在帮助客户实现其环境、健康和安全目标。

Wafer With Scientist

常见问题

半导体制造中的大马士革工艺是什么?

大马士革工艺是一种形成铜互连的技术。在电介质层中蚀刻出纳米级的填孔和沟槽,随后沉积阻挡层和铜层,填充这些纹路,在集成电路中形成均匀、可靠的互连。

ViaForm 在大马士革工艺中扮演什么角色?

ViaForm产品广泛用于双大马士革工艺中,实现无空洞、自下而上的铜填充。能够以此精确控制铜电镀,增强高密度互连所需的均匀性和可靠性,以用于先进处理节点。

ViaForm 与市场上的其他技术相比如何?

我们率先将电镀铜技术用于大马士革工艺,提供的解决方案具有优异的填充质量、一致性和高产量,并有强大技术支持和持续创新的支持。

ViaForm 产品如何提升互连可靠性?

ViaForm 生成无空洞的铜互连,具有强粘合力,确保在严苛条件下的长期可靠性。具有精确的铜填充,降低缺陷风险,增强先进IC载板的耐用性。

贵公司的大马士革解决方案是否适用于大批量制造?

是的,我们的大马士革解决方案可有效扩展,用于大批量制造,确保稳定一致的质量和性能。

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