产品概述
MICROFAB TS-650 NXG 是一种锡银凸块、柱体及封帽金属化工艺，适用于以共面性、键合强度和优化工艺产量为目标的晶圆级封装设计。MICROFAB TS-650 NXG 可调节锡银合金成分，有助于降低晶须生长的倾向，同时提供较低的回流熔点和较高的机械应力耐受性。
产品特性
用于半导体晶圆电镀的有机磺酸盐电解液
该工艺适用于高速电沉积，可生成表面形态平滑、可焊接的回流凸块，且对合金成分控制严格。
回流前均匀性、宽工艺窗口、锡银封帽
MICROFAB TS-650 NXG 专为无铅和封帽应用而开发，在晶圆内（WIW）、芯片内（WID）和特征结构内（WIF）均具备出色的均匀性。
行业前沿的铜柱电镀技术
MICROFAB TS-650 NXG 是实现芯片或封装与基板间良好可焊性的镀层选择。
出色的芯片内/晶圆内高度均匀性
MICROFAB TS-650 NXG 在回流后无空洞，且具备出色的芯片内/晶圆内高度均匀性。该工艺稳定性高，与光刻胶兼容性好，工艺窗口宽，沉积速率可达 6-15 ASD。凭借高速电镀能力，该工艺可在多种精细间距封装设计中生成平滑且规则的、可焊接性高的锡银镀层。
凸块和封帽解决方案
MICROFAB TS-650 NXG 专为多种倒装芯片、扇出型晶圆级封装（FOWLP）和 2.5D/3D 凸块应用而开发，具有更高的电镀速度。这是一种基于甲磺酸（MSA）的锡银工艺，结合了三部分添加剂体系。该工艺还适用于C4凸块（蘑菇形、过孔内）、微凸块（uBump）和封帽应用场景。MICROFAB TS-650 NXG 可生成平滑的沉积形态，对银（Ag）含量控制出色，且具备均匀性。
特色应用
凸块和封帽
MICROFAB TS-650 NXG 专为多种倒装芯片、扇出型晶圆级封装（FOWLP）、2.5D/3D 凸块、C4 凸块（蘑菇形、过孔内）、微凸块（uBump）和封帽应用而开发。